东北大学的 JYPE 项目（Junior Year Program in English）是面向本科三年级学生的交换项目，课程以英语授课为主。我的交换时间从 2023 年 10 月持续到 2024 年 8 月。项目的核心课程是 IRT（个人研究训练），其余课程可以自由选择，与英文授课学生一同学习。
我加入了田中老师的微机电系统课题组，跟着组里的安德烈亚老师做有关压电器件转移的项目。这也是我第一次完整地参与一个项目从提出，完善，逐渐到实验，写作，我认为这对我个人的成长是个重要的经历。在第一学期，安德烈亚老师的构想是用传统的MEMS器件加工工艺（长时间的氢氟酸蚀刻氧化硅层）来形成类似Silicon on Nothing(SON,无基底硅)的效果，再用PDMS来转移薄膜。然而，由于该工艺流程复杂（比组里绝大多数博士生的流程都复杂得多），良率较低，加工难度很高。但我也因此有幸接触并掌握了净室加工的全流程：包括掩膜设计、制作、光刻、深硅刻蚀、溅射、等离子铣、物理和化学气相沉积，以及样品切片和光学显微镜、SEM、红外显微镜等观测手段。初期的学习过程非常紧张，每周需要掌握两到三个新工艺并立即应用，同时还要确保实验的准确性。安德烈亚老师耐心地手把手指导我完成了设备操作，这让我能较快地适应实验室工作。
第一学期末，我完成了第一批样品的制备，但由于器件转移效果不佳，结果不够稳定。田中教授提出改用激光隐切技术，利用激光形成硅的中空结构，再通过剪切力分离薄膜。课题组的隐切激光器由田中教授二十多年前亲手组装，一些部件已老化，需要大幅改装。我和安德烈亚老师花了两周时间安装了 X-Y 轴步进电机，更新了部分机械零件，还自己设计和打印了一些零件，最终换成金属制件使用。设备中软件的问题更胜硬件，在硬件改进完成后，我们又花了将近一个月的时间来编写和激光系统相容的驱动程序。
在设备的问题解决后，我通过光刻，深硅刻蚀和切片制备了许多样品，用纳秒激光破坏其内部，然后施加剪切力来完成硅片的分离。发现了一些对剪切力影响明显的激光参数，也用显微镜拍了一些有意思的照片。在我离开的前两个月，田中老师在组会上让我找一个会议投稿，我选中了11月份在京都召开的微加工与纳米技术会议。而在我参与的倒数第二次组会上，田中老师觉得现在的研究结果已经达到了期刊论文的标准，这才有了我现在在投的这篇文章。
最终，我的会议论文被接收为口头汇报。尽管我在8月就已经回到中国了，不能使用东北大学的经费，安德烈亚老师还是自费帮我报销了会议的注册费和住宿费用（红叶季的京都住宿价格不菲）。在老师的推荐下，我还参与了会议的晚宴，认识了几位有趣的人，有和我方向类似的博士生，有刚入职缺学生的助理教授，也有特别喜欢研究日本食物的法国研究员。口头报告取得了不错的反馈，一位来自日立公司的研究员似乎对我的研究很感兴趣，提出了许多问题，还在作者访谈时间和我的老师交换了联系方式。
目前，这篇论文正向《IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering》期刊投稿。 已发表（2025.8）
此外，由于网络上交换生相关的资料较少，我这里详细记录了我的申请经历，以供参考。 视频合集链接